رسولی,ش. and بهاری,ع. (2010). امکان به کارگیری نانولوله کربنی تک دیواره به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی. Amirkabir Journal of Science and Research, 40(2), 0-0.
MLA
رسولی,ش. , and بهاری,ع. . "امکان به کارگیری نانولوله کربنی تک دیواره به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی", Amirkabir Journal of Science and Research, 40, 2, 2010, 0-0.
HARVARD
رسولی ش., بهاری ع. (2010). 'امکان به کارگیری نانولوله کربنی تک دیواره به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی', Amirkabir Journal of Science and Research, 40(2), pp. 0-0.
CHICAGO
ش. رسولی and ع. بهاری, "امکان به کارگیری نانولوله کربنی تک دیواره به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی," Amirkabir Journal of Science and Research, 40 2 (2010): 0-0,
VANCOUVER
رسولی ش., بهاری ع. امکان به کارگیری نانولوله کربنی تک دیواره به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی. AJSR, 2010; 40(2): 0-0.
